NSVMUN5111DW1T3G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

双极晶体管 - 预偏置

RoHS：

Y

配置：

双重的

晶体管极性：

PNP

典型输入电阻：

10 kOhms

典型电阻比：

1

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

35

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

50 V

连续集电极电流：

100 mA

Pd - 功耗：

385 mW

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

打包：

卷轴

输出电压：

200 mV

品牌：

安森美半导体

产品类别：

BJT - 双极晶体管 - 预偏置

资质：

AEC-Q101

出厂包装数量：

10000

子类别：

晶体管

Tags

NSVMUN511, NSVMUN51, NSVMUN5, NSVMU, NSVM, NSV