PMDT670UPE,115

产品属性

属性值

制造商：

Nexperia

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-666-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

550 mA

Rds On - 漏源电阻：

670 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

800 mV

Qg - 门电荷：

760 pC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.09 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

资质：

AEC-Q101

打包：

卷轴

晶体管类型：

2 P-Channel

品牌：

Nexperia

秋季时间：

72 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

30 ns

出厂包装数量：

4000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

80 ns

典型的开启延迟时间：

18 ns

单位重量：

0.000099 oz

Tags

PMDT6, PMDT, PMD