IRF5851TRPBF

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TSOP-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

2.7 A

Rds On - 漏源电阻：

90 mOhms

Vgs - 栅源电压：

12 V

Qg - 门电荷：

4 nC

Pd - 功耗：

960 mW

配置：

双重的

打包：

卷轴

高度：

1.1 mm

长度：

3 mm

产品：

MOSFET 小信号

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

宽度：

1.5 mm

品牌：

英飞凌/红外

湿气敏感：

是的

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

第 # 部分别名：

SP001561866

单位重量：

0.000705 oz

Tags

IRF5851T, IRF5851, IRF585, IRF58, IRF5, IRF