2SK2009TE85LF

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-346-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

200 mA

Rds On - 漏源电阻：

2 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

500 mV

Vgs - 栅源电压：

2.5 V

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

200 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

1.1 mm

长度：

2.9 mm

系列：

2SK2009

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

射频小信号 MOSFET

宽度：

1.5 mm

品牌：

东芝

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

0.12 us

典型的开启延迟时间：

0.06 us

单位重量：

0.000423 oz

Tags

2SK2009T, 2SK2009, 2SK200, 2SK20, 2SK2, 2SK