NTTFS4929NTAG

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

WDFN-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

10.6 A

Rds On - 漏源电阻：

17 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2.2 V

Qg - 门电荷：

8.8 nC

Pd - 功耗：

2.11 W

配置：

单身的

打包：

卷轴

系列：

NTTFS4929N

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

26 S

秋季时间：

6.1 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

24 ns

出厂包装数量：

1500

子类别：

MOSFET

Tags

NTTFS4929, NTTFS492, NTTFS49, NTTFS4, NTTFS, NTTF, NTT