QST4TR

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

Y

安装方式：

贴片/贴片

晶体管极性：

PNP

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

12 V

集电极-基极电压 VCBO：

15 V

发射极基极电压 VEBO：

6 V

最大直流集电极电流：

3 A

增益带宽积 fT：

280 MHz

最高工作温度：

+ 150 C

直流电流增益 hFE 最大值：

270 at 500 mA, 2 V

高度：

0.85 mm

长度：

2.9 mm

打包：

卷轴

宽度：

1.6 mm

品牌：

罗姆半导体

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

270

Pd - 功耗：

1250 mW

产品类别：

BJT - 双极晶体管

出厂包装数量：

3000

子类别：

晶体管

第 # 部分别名：

QST4

Tags

QST4, QST