NSV1C200LT1G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-23-3

晶体管极性：

PNP

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

- 100 V

集电极-基极电压 VCBO：

- 140 V

发射极基极电压 VEBO：

- 7 V

集电极-发射极饱和电压：

- 950 mV

最大直流集电极电流：

- 3 A

增益带宽积 fT：

120 MHz

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

系列：

NSS1C200L

直流电流增益 hFE 最大值：

360 at - 500 mA, - 2 V

打包：

卷轴

品牌：

安森美半导体

连续集电极电流：

- 2 A

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

120

Pd - 功耗：

490 mW

产品类别：

BJT - 双极晶体管

资质：

AEC-Q101

出厂包装数量：

3000

子类别：

晶体管

单位重量：

0.000282 oz

Tags

NSV1C2, NSV1C, NSV1, NSV