HUF75307T3ST

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

E

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-223-4

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

55 V

Id - 连续漏极电流：

2.6 A

Rds On - 漏源电阻：

90 mOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.1 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

1.8 mm

长度：

6.5 mm

产品：

MOSFET 小信号

系列：

HUF75307T3S

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

MOSFET

宽度：

3.5 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

秋季时间：

30 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

30 ns

出厂包装数量：

4000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

35 ns

典型的开启延迟时间：

5 ns

第 # 部分别名：

HUF75307T3ST_NL

单位重量：

0.003951 oz

Tags

HUF75307T, HUF75307, HUF7530, HUF753, HUF75, HUF7, HUF