BMS3003-1E

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-220-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

78 A

Rds On - 漏源电阻：

9 mOhms

Vgs - 栅源电压：

4 V

Qg - 门电荷：

285 nC

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

40 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

管子

系列：

BMS3003-1E

晶体管类型：

1 P-Channel

品牌：

安森美半导体

秋季时间：

680 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

360 ns

出厂包装数量：

50

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

1200 ns

典型的开启延迟时间：

90 ns

单位重量：

0.211644 oz

Tags

BMS30, BMS3, BMS