SSM6N16FUTE85LF

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-363-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

100 mA

Rds On - 漏源电阻：

5.2 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.1 V

Pd - 功耗：

200 mW

配置：

双重的

打包：

卷轴

高度：

0.9 mm

长度：

2 mm

系列：

SSM6N16

晶体管类型：

2 N-Channel

宽度：

1.25 mm

品牌：

东芝

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

125 ns

典型的开启延迟时间：

70 ns

单位重量：

0.000265 oz

Tags

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