IPL65R725CFDAUMA1

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

VSON-4

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

650 V

Id - 连续漏极电流：

5.8 A

Rds On - 漏源电阻：

725 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

4 V

Vgs - 栅源电压：

30 V

Qg - 门电荷：

20 nC

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

62.5 W

配置：

双重的

商品名：

酷摩

打包：

卷轴

高度：

1.1 mm

长度：

8 mm

系列：

CoolMOS CFDA

晶体管类型：

2 N-Channel

宽度：

8 mm

品牌：

英飞凌科技

秋季时间：

10 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

8 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

40 ns

典型的开启延迟时间：

9 ns

第 # 部分别名：

IPL65R725CFD SP000949266

Tags

IPL65R, IPL65, IPL6, IPL