SiZ328DT-T1-GE3

产品属性

属性值

制造商：

威世

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

PowerPAIR-3x3-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

25 V

Id - 连续漏极电流：

25.3 A, 30 A

Rds On - 漏源电阻：

10 mOhms, 15 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.1 V

Vgs - 栅源电压：

- 12 V, 16 V

Qg - 门电荷：

6.9 nC, 11.3 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

16.2 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

商品名：

TrenchFET、PowerPAIR

打包：

卷轴

系列：

工业区

晶体管类型：

2 N-Channel

品牌：

威世 / Siliconix

正向跨导 - 最小值：

25 S, 42 S

秋季时间：

5 ns, 5 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

5 ns, 11 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

12 ns, 15 ns

典型的开启延迟时间：

7 ns, 8 ns

Tags

SiZ32, SiZ3, SiZ