2SK3075(TE12L,Q)

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管极性：

N通道

技术：

硅

Id - 连续漏极电流：

5 A

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

获得：

11.7 dB

输出功率：

7.5 W

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

PW-X-4

打包：

卷轴

配置：

单身的

工作频率：

520 MHz

系列：

2SK3075

类型：

射频功率MOSFET

品牌：

东芝

Pd - 功耗：

20 W

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

25 V

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.5 V

单位重量：

0.010582 oz

Tags

2SK3075(T, 2SK3075, 2SK307, 2SK30, 2SK3, 2SK