SQS966ENW-T1_GE3

产品属性

属性值

制造商：

威世

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

PowerPAK-1212-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

6 A

Rds On - 漏源电阻：

36 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.5 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

6.2 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

27.8 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

晶体管类型：

2 N-Channel

品牌：

威世半导体

正向跨导 - 最小值：

2.8 S

秋季时间：

4.8 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

1.7 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

14 ns

典型的开启延迟时间：

7.9 ns

Tags

SQS