BSB008NE2LXXT

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

WDSON-2-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

25 V

Id - 连续漏极电流：

180 A

Rds On - 漏源电阻：

600 uOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.2 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

343 nC

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

89 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

资质：

AEC-Q101

商品名：

优化MOS

打包：

卷轴

高度：

0.7 mm

长度：

6.35 mm

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

5.05 mm

品牌：

英飞凌科技

正向跨导 - 最小值：

120 S

秋季时间：

32.4 ns

湿气敏感：

是的

产品类别：

MOSFET

上升时间：

47.2 ns

出厂包装数量：

5000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

75 ns

典型的开启延迟时间：

12.6 ns

第 # 部分别名：

BSB008NE2LXXUMA1 SP000880866

Tags

BSB00, BSB0, BSB