NTLUS4C16NTAG

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

UDFN-6

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

9.4 A

Rds On - 漏源电阻：

9.3 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

600 mV

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

7.5 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2.37 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

NTLUS4C16N

晶体管类型：

单 N 沟道 MOSFET

品牌：

安森美半导体

秋季时间：

2.5 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

14.5 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

17.5 ns

典型的开启延迟时间：

6 ns

单位重量：

0.000300 oz

Tags

NTLUS4C, NTLUS4, NTLUS, NTLU, NTL