2N5951

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

射频 JFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管类型：

场效应管

技术：

硅

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

15 V

Vgs - 栅源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

13 mA

最大漏栅电压：

30 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

350 mW

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-92-3

打包：

大部分

配置：

单身的

高度：

5.33 mm

长度：

5.2 mm

产品：

射频结型场效应管

类型：

场效应管

宽度：

4.19 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

栅源截止电压：

2 V to 5 V

产品类别：

射频 JFET 晶体管

出厂包装数量：

2000

子类别：

晶体管

单位重量：

0.007090 oz

Tags

2N5951, 2N595, 2N59, 2N5