MRF1K50H-TF2

产品属性

属性值

制造商：

恩智浦

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

RoHS：

E

晶体管极性：

双 N 通道

技术：

硅

Id - 连续漏极电流：

36 A

Vds - 漏源击穿电压：

135 V

获得：

23.7 dB

输出功率：

1.5 kW

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 150 C

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

NI-1230H-4S

工作频率：

1.8 MHz to 500 MHz

系列：

MRF1K50H

类型：

射频功率MOSFET

品牌：

恩智浦/飞思卡尔

正向跨导 - 最小值：

33.5 S

通道数：

2 Channel

Pd - 功耗：

1.667 kW

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

出厂包装数量：

1

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

- 6 V, 10 V

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.7 V

第 # 部分别名：

935336497598

Tags

MRF1K50H-T, MRF1K50H, MRF1K, MRF1, MRF