IMB9AT110

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

双极晶体管 - 预偏置

RoHS：

Y

配置：

双重的

晶体管极性：

PNP

典型输入电阻：

10 kOhms

典型电阻比：

4.7

安装方式：

贴片/贴片

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

68

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

- 50 V

连续集电极电流：

- 70 mA

峰值直流集电极电流：

- 100 mA

Pd - 功耗：

300 mW

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

系列：

IMB9A

打包：

卷轴

直流电流增益 hFE 最大值：

68

高度：

1.1 mm

长度：

2.9 mm

宽度：

1.6 mm

品牌：

罗姆半导体

产品类别：

BJT - 双极晶体管 - 预偏置

出厂包装数量：

3000

子类别：

晶体管

Tags

IMB9AT, IMB9A, IMB9, IMB