IPD25DP06LMATMA1

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-252-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

- 60 V

Id - 连续漏极电流：

- 6.5 A

Rds On - 漏源电阻：

250 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

- 2 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

- 13.8 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

28 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

IPD06P005

晶体管类型：

1 P-Channel

品牌：

英飞凌科技

正向跨导 - 最小值：

8.4 S

秋季时间：

3 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

6 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

22 ns

典型的开启延迟时间：

3 ns

第 # 部分别名：

IPD25DP06LM SP004987260

Tags

IPD25D, IPD25, IPD2, IPD