NX3008PBKW,115

产品属性

属性值

制造商：

Nexperia

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-323-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

200 mA

Rds On - 漏源电阻：

4.1 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

600 mV

Vgs - 栅源电压：

4.5 V

Qg - 门电荷：

0.55 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

310 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

资质：

AEC-Q101

打包：

卷轴

产品：

沟槽 MOSFET

晶体管类型：

1 P-Channel

类型：

沟槽 MOSFET

品牌：

Nexperia

正向跨导 - 最小值：

160 mS

秋季时间：

38 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

30 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

65 ns

典型的开启延迟时间：

19 ns

单位重量：

0.000176 oz

Tags

NX3008PBKW, NX3008P, NX3008, NX300, NX30, NX3