IRFH4257DTRPBF

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

PQFN-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

25 V

Id - 连续漏极电流：

25 A

Rds On - 漏源电阻：

4.7 mOhms, 1.8 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.1 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

9.7 nC, 23 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

25 W, 28 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.9 mm

长度：

6 mm

晶体管类型：

2 N-Channel

宽度：

5 mm

品牌：

英飞凌/红外

正向跨导 - 最小值：

100 S, 138 S

秋季时间：

20 ns, 25 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

47 ns, 51 ns

出厂包装数量：

4000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

12 ns, 20 ns

典型的开启延迟时间：

8.2 ns, 12 ns

第 # 部分别名：

SP001572506

Tags

IRFH425, IRFH4, IRFH, IRF