IXZ2210N50L2

产品属性

属性值

制造商：

IXYS

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管极性：

双 N 通道

技术：

硅

Id - 连续漏极电流：

10 A

Vds - 漏源击穿电压：

500 V

Rds On - 漏源电阻：

1 Ohms

输出功率：

270 W

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SMD-8

打包：

管子

工作频率：

2 MHz to 110 MHz

系列：

IXZ221

类型：

射频功率MOSFET

品牌：

IXYS

正向跨导 - 最小值：

3.1 S

通道数：

2 Channel

Pd - 功耗：

270 W

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

出厂包装数量：

20

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

20 V

Vgs th - 栅源阈值电压：

4 V

Tags

IXZ2, IXZ