CMRDM3575 TR

产品属性

属性值

制造商：

中央半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-963

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

160 mA, 140 mA

Rds On - 漏源电阻：

1.5 Ohms, 4 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

400 mV, 1 V

Vgs - 栅源电压：

8 V

Qg - 门电荷：

458 pC, 500 pC

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

125 mW

配置：

双重的

频道模式：

增强

商品名：

阿托米尼

打包：

卷轴

系列：

CMRDM

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

品牌：

中央半导体

正向跨导 - 最小值：

1.3 S, 140 mS

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

8000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

85 ns, 100 ns

典型的开启延迟时间：

25 ns, 35 ns

第 # 部分别名：

CMRDM3575 PBFREE TR

Tags

CMRDM3, CMRDM, CMRD, CMR