CSD17578Q3A

产品属性

属性值

制造商：

德州仪器

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

VSONP-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

20 A

Rds On - 漏源电阻：

7.3 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.1 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

17.1 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

37 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

场效应管

打包：

卷轴

高度：

0.9 mm

长度：

3.15 mm

系列：

CSD17578Q3A

晶体管类型：

1 N-Channel Power MOSFET

宽度：

3 mm

品牌：

德州仪器

开发套件：

TPS25740EVM-741, TPS25740AEVM-741, TPS25740BEVM-741

秋季时间：

1 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

6 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

13 ns

典型的开启延迟时间：

2 ns

单位重量：

0.000967 oz

Tags

CSD17578, CSD1757, CSD175, CSD17, CSD1, CSD