BSO150N03MD G

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SO-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

9.3 A

Rds On - 漏源电阻：

12.5 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

17 nC, 17 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

商品名：

优化MOS

打包：

卷轴

高度：

1.75 mm

长度：

4.9 mm

系列：

OptiMOS 3M

晶体管类型：

2 N-Channel

宽度：

3.9 mm

品牌：

英飞凌科技

正向跨导 - 最小值：

12 S, 12 S

秋季时间：

4.2 ns, 4.2 ns

湿气敏感：

是的

产品类别：

MOSFET

上升时间：

3.8 ns, 3.8 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

8.7 ns, 8.7 ns

典型的开启延迟时间：

7.3 ns, 7.3 ns

第 # 部分别名：

BSO150N03MDGXUMA1 BSO15N3MDGXT SP000447476

单位重量：

0.019048 oz

Tags

BSO150N03MDG, BSO150N03M, BSO150N0, BSO150, BSO15, BSO1, BSO