SQJQ900E-T1_GE3

产品属性

属性值

制造商：

威世

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

PowerPAK-8x8L-4

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

40 V

Id - 连续漏极电流：

100 A

Rds On - 漏源电阻：

3.4 mOhms, 3.4 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.5 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

120 nC, 120 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

135 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

资质：

AEC-Q101

商品名：

沟槽场效应晶体管

打包：

卷轴

系列：

质量

晶体管类型：

2 N-Channel

品牌：

威世 / Siliconix

正向跨导 - 最小值：

105 S, 105 S

秋季时间：

14 ns, 14 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

7.5 ns, 7.5 ns

出厂包装数量：

2000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

30 ns, 30 ns

典型的开启延迟时间：

14 ns, 14 ns

Tags

SQJQ90, SQJQ9, SQJQ, SQJ