IXTA120P065T

产品属性

属性值

制造商：

IXYS

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-263AA-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

65 V

Id - 连续漏极电流：

120 A

Rds On - 漏源电阻：

10 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

185 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

298 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

管子

系列：

IXTA120P065

晶体管类型：

1 P-Channel

品牌：

IXYS

正向跨导 - 最小值：

45 S

秋季时间：

21 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

28 ns

出厂包装数量：

50

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

38 ns

典型的开启延迟时间：

31 ns

单位重量：

0.056438 oz

Tags

IXTA120P, IXTA120, IXTA12, IXTA1, IXTA, IXT