NTQD6866R2G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TSSOP-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

6.9 A

Rds On - 漏源电阻：

30 mOhms

Vgs - 栅源电压：

12 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.95 mm

长度：

3.1 mm

晶体管类型：

2 N-Channel

类型：

MOSFET

宽度：

4.5 mm

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

14 S

秋季时间：

75 ns, 90 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

45 ns

出厂包装数量：

4000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

35 ns, 40 ns

典型的开启延迟时间：

8 ns, 10 ns

单位重量：

0.005573 oz

Tags

NTQD6866R, NTQD68, NTQD6, NTQD, NTQ