NST856BF3T5G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

Y

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-1123-3

晶体管极性：

PNP

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

65 V

集电极-基极电压 VCBO：

80 V

发射极基极电压 VEBO：

5 V

最大直流集电极电流：

0.1 A

增益带宽积 fT：

100 MHz

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

系列：

NST856BF3T5G

直流电流增益 hFE 最大值：

220 at 2 mA, 5 V

高度：

0.37 mm

长度：

0.6 mm

打包：

卷轴

宽度：

0.8 mm

品牌：

安森美半导体

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

220 at 2 mA, 5 V

Pd - 功耗：

347 mW

产品类别：

BJT - 双极晶体管

出厂包装数量：

8000

子类别：

晶体管

Tags

NST85, NST8, NST