IRF7509TRPBF

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

Micro-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

2.7 A

Rds On - 漏源电阻：

200 mOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

7.8 nC, 7.5 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.25 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

1.11 mm

长度：

3 mm

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

宽度：

3 mm

品牌：

英飞凌/红外

正向跨导 - 最小值：

1.9 S, 0.92 S

秋季时间：

5.3 ns, 9.3 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

10 ns, 12 ns

出厂包装数量：

4000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

12 ns, 19 ns

典型的开启延迟时间：

4.7 ns, 9.7 ns

第 # 部分别名：

SP001570444

单位重量：

0.000901 oz

Tags

IRF7509TRP, IRF7509T, IRF7509, IRF750, IRF75, IRF7, IRF