FQI8N60CTU

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

E

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-263-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

600 V

Id - 连续漏极电流：

7.5 A

Rds On - 漏源电阻：

1.2 Ohms

Vgs - 栅源电压：

30 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

3.13 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

管子

高度：

4.83 mm

长度：

10.67 mm

系列：

FQI8N60C

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

MOSFET

宽度：

9.65 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

正向跨导 - 最小值：

8.7 S

秋季时间：

64.5 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

60.5 ns

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

81 ns

典型的开启延迟时间：

16.5 ns

第 # 部分别名：

FQI8N60CTU_NL

单位重量：

0.073511 oz

Tags

FQI8N6, FQI8N, FQI8, FQI