T1G4020036-FL

产品属性

属性值

制造商：

克里公司

产品分类：

射频 JFET 晶体管

RoHS：

N

晶体管类型：

HEMT

技术：

氮化镓

获得：

12 dB

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

120 V

Vgs - 栅源击穿电压：

- 10 V, 2 V

Id - 连续漏极电流：

12 A

输出功率：

85 W

最大漏栅电压：

28 V

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 150 C

安装方式：

螺丝安装

包装/案例：

CG2H30070F

打包：

大部分

配置：

单身的

工作频率：

0.5 GHz to 3 GHz

品牌：

Wolfspeed / 克里

产品类别：

射频 JFET 晶体管

出厂包装数量：

1

子类别：

晶体管

Vgs th - 栅源阈值电压：

- 2.8 V

Tags

T1G402, T1G4, T1G