PTFA211801F V4 R250

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管极性：

N通道

技术：

硅

Id - 连续漏极电流：

1.3 A

Vds - 漏源击穿电压：

65 V

Rds On - 漏源电阻：

50 mOhms

获得：

17.5 dB

输出功率：

180 W

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 150 C

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

H-34288-4/2

打包：

卷轴

配置：

单身的

高度：

4.11 mm

长度：

23.11 mm

工作频率：

2170 MHz

类型：

射频功率MOSFET

宽度：

13.72 mm

品牌：

英飞凌科技

频道模式：

增强

Pd - 功耗：

56.5 W

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

出厂包装数量：

250

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

10 V

第 # 部分别名：

FA211801FV4R25XT

Tags

PTFA211801F, PTFA2118, PTFA211, PTFA21, PTFA2, PTFA, PTF