2N7002DW H6327

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-363-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

300 mA

Rds On - 漏源电阻：

1.6 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.5 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

600 pC, 600 pC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

500 mW (1/2 W)

配置：

双重的

频道模式：

增强

资质：

AEC-Q101

打包：

卷轴

高度：

0.9 mm

长度：

2 mm

系列：

2N7002

晶体管类型：

2 N-Channel

宽度：

1.25 mm

品牌：

英飞凌科技

正向跨导 - 最小值：

200 mS, 200 mS

秋季时间：

3.1 ns, 3.1 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

3.3 ns, 3.3 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

5.5 ns, 5.5 ns

典型的开启延迟时间：

3 ns, 3 ns

第 # 部分别名：

2N7002DWH6327XTSA1 2N72DWH6327XT SP000917596

单位重量：

0.000265 oz

Tags

2N7002DWH6, 2N7002DWH, 2N7002DW, 2N7002D, 2N7002, 2N700, 2N70, 2N7