NSVJ5908DSG5T1G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

场效应管

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

MCPH-5

晶体管极性：

N通道

配置：

双重的

Vds - 漏源击穿电压：

15 V

Vgs - 栅源击穿电压：

- 15 V

Vgs=0 时的漏源电流：

32 mA

Id - 连续漏极电流：

50 mA

Pd - 功耗：

300 mW

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

资质：

AEC-Q101

打包：

卷轴

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

24 mS

栅源截止电压：

- 0.7 V

产品类别：

JFET

出厂包装数量：

3000

子类别：

晶体管

Tags

NSVJ, NSV