PMXB360ENEAZ

产品属性

属性值

制造商：

Nexperia

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

DFN-1010D-3

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

80 V

Id - 连续漏极电流：

1.1 A

Rds On - 漏源电阻：

345 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.7 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

3 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

400 mW

频道模式：

增强

资质：

AEC-Q101

打包：

卷轴

品牌：

Nexperia

正向跨导 - 最小值：

3.2 S

秋季时间：

3 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

3.5 ns

出厂包装数量：

5000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

9 ns

典型的开启延迟时间：

2 ns

单位重量：

0.000042 oz

Tags

PMXB36, PMXB3, PMXB, PMX