APTGT100A120D1G

产品属性

属性值

制造商：

微芯片

产品分类：

IGBT 模块

RoHS：

Y

配置：

双重的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

1.2 kV

集电极-发射极饱和电压：

1.7 V

25 C 时的连续集电极电流：

150 A

栅极-发射极漏电流：

300 nA

Pd - 功耗：

520 W

包装/案例：

D1-7

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 125 C

品牌：

微芯片/Microsemi

安装方式：

底盘安装

最大栅极发射极电压：

20 V

产品类别：

IGBT 模块

出厂包装数量：

50

子类别：

IGBT

Tags

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