CSD86356Q5DT

产品属性

属性值

制造商：

德州仪器

产品分类：

MOSFET

RoHS：

E

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SON-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

25 V

Id - 连续漏极电流：

40 A

Rds On - 漏源电阻：

4.5 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

950 mV

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

7.9 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

12 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

场效应管

打包：

卷轴

系列：

CSD86356Q5D

晶体管类型：

电源块

品牌：

德州仪器

正向跨导 - 最小值：

70 S

秋季时间：

3 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

26 ns

出厂包装数量：

250

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

12 ns

典型的开启延迟时间：

7 ns

Tags

CSD8635, CSD86, CSD8, CSD