TSM4ND65CI RLG

产品属性

属性值

制造商：

台积电

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

650 V

Id - 连续漏极电流：

4 A

Rds On - 漏源电阻：

2.6 Ohms

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

配置：

单身的

打包：

管子

系列：

TSM

晶体管类型：

单 N 沟道功率 MOSFET

品牌：

台积电

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

50

子类别：

MOSFET

Tags

TSM4ND6, TSM4ND, TSM4N, TSM4, TSM