SSM6N36FE,LM

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

ES6-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

500 mA

Rds On - 漏源电阻：

630 mOhms

Pd - 功耗：

150 mW

配置：

双重的

打包：

卷轴

高度：

0.55 mm

长度：

1.6 mm

系列：

SSM6N36

晶体管类型：

2 N-Channel

宽度：

1.2 mm

品牌：

东芝

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

4000

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.001270 oz

Tags

SSM6N36, SSM6N3, SSM6N, SSM6, SSM