TGF2979-SM

产品属性

属性值

制造商：

科沃

产品分类：

射频 JFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管类型：

HEMT

技术：

氮化镓碳化硅

获得：

13 dB

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

32 V

Vgs - 栅源击穿电压：

- 2.7 V

Id - 连续漏极电流：

326 mA

输出功率：

6 W

最高工作温度：

+ 225 C

Pd - 功耗：

8.4 W

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

QFN-16

打包：

托盘

配置：

单身的

高度：

0.203 mm

长度：

3 mm

工作频率：

DC to 12 GHz

类型：

氮化镓碳化硅 HEMT

宽度：

3 mm

品牌：

科沃

通道数：

1 Channel

开发套件：

TGF2977-SMEVB1

湿气敏感：

是的

产品类别：

射频 JFET 晶体管

出厂包装数量：

50

子类别：

晶体管

第 # 部分别名：

1127257

单位重量：

0.002014 oz

Tags

TGF297, TGF29, TGF2, TGF