AFT05MS003NT1

产品属性

属性值

制造商：

恩智浦

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管极性：

N通道

技术：

硅

Id - 连续漏极电流：

2.6 A

Vds - 漏源击穿电压：

- 500 mV, 30 V

获得：

20.8 dB

输出功率：

3.2 W

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 150 C

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-89-3

打包：

卷轴

工作频率：

1.8 MHz to 941 MHz

类型：

射频功率MOSFET

品牌：

恩智浦/飞思卡尔

通道数：

1 Channel

Pd - 功耗：

30.5 W

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

- 6 V, 12 V

Vgs th - 栅源阈值电压：

2.2 V

第 # 部分别名：

935312585147

单位重量：

0.001792 oz

Tags

AFT05MS00, AFT05MS, AFT05, AFT0, AFT