BSB028N06NN3 G

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

WDSON-2-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

90 A

Rds On - 漏源电阻：

2.8 mOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

108 nC

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

78 W

配置：

单身的

商品名：

优化MOS

打包：

卷轴

高度：

0.7 mm

长度：

6.35 mm

系列：

OptiMOS 3

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

5.05 mm

品牌：

英飞凌科技

秋季时间：

6 ns

湿气敏感：

是的

产品类别：

MOSFET

上升时间：

9 ns

出厂包装数量：

5000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

38 ns

典型的开启延迟时间：

21 ns

第 # 部分别名：

BSB028N06NN3GXUMA1 BSB28N6NN3GXT SP000605956

Tags

BSB028N06NN3G, BSB028, BSB02, BSB0, BSB