DMG6301UDW-13

产品属性

属性值

制造商：

二极管公司

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-363-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

25 V

Id - 连续漏极电流：

240 mA

Rds On - 漏源电阻：

3.8 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

850 mV

Vgs - 栅源电压：

8 V

Qg - 门电荷：

360 pC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

370 mW

配置：

双重的

频道模式：

增强

商品名：

电源DI

打包：

卷轴

系列：

DMG6301

晶体管类型：

2 N-Channel

品牌：

二极管公司

正向跨导 - 最小值：

1 S

秋季时间：

2.3 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

1.8 ns

出厂包装数量：

10000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

6.6 ns

典型的开启延迟时间：

2.9 ns

单位重量：

0.000212 oz

Tags

DMG63, DMG6, DMG