GA05JT03-46

产品属性

属性值

制造商：

GeneSiC半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

碳化硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-46-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

300 V

Id - 连续漏极电流：

9 A

Rds On - 漏源电阻：

620 mOhms

Vgs - 栅源电压：

30 V

Qg - 门电荷：

14.6 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 225 C

Pd - 功耗：

20 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

大部分

品牌：

GeneSiC半导体

秋季时间：

12.4 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

6.6 ns

出厂包装数量：

50

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

12 ns

典型的开启延迟时间：

13 ns

Tags

GA05J, GA05, GA0