MJD32C

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

N

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-252-3

晶体管极性：

PNP

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

100 V

集电极-基极电压 VCBO：

100 V

发射极基极电压 VEBO：

5 V

集电极-发射极饱和电压：

1.2 V

最大直流集电极电流：

3 A

增益带宽积 fT：

3 MHz

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 150 C

系列：

MJD32C

高度：

2.38 mm

长度：

6.73 mm

打包：

管子

宽度：

6.22 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

连续集电极电流：

3 A

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

25

Pd - 功耗：

1.56 W

产品类别：

BJT - 双极晶体管

出厂包装数量：

75

子类别：

晶体管

Tags

MJD32C, MJD32, MJD3, MJD