NE5511279A-T1-A

产品属性

属性值

制造商：

电灯

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管极性：

N通道

技术：

硅

Id - 连续漏极电流：

3 A

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

获得：

15 dB

输出功率：

40 dBm

最高工作温度：

+ 125 C

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

79A-4

打包：

卷轴

配置：

单身的

工作频率：

900 MHz

类型：

射频功率MOSFET

品牌：

电灯

正向跨导 - 最小值：

0.0023 S

Pd - 功耗：

20 W

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

6 V

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.5 V

Tags

NE5511, NE551, NE55, NE5