DMN4800LSSQ-13

产品属性

属性值

制造商：

二极管公司

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SO-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

8.6 A

Rds On - 漏源电阻：

20 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

800 mV

Vgs - 栅源电压：

25 V

Qg - 门电荷：

8.7 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.7 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

资质：

AEC-Q101

打包：

卷轴

系列：

DMN4800

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

二极管公司

正向跨导 - 最小值：

8 S

秋季时间：

8.55 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

4.5 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

26.33 ns

典型的开启延迟时间：

5.03 ns

单位重量：

0.017870 oz

Tags

DMN4800LSS, DMN4800LS, DMN4800L, DMN48, DMN4, DMN