SIHB11N80E-GE3

产品属性

属性值

制造商：

威世

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

D2PAK-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

800 V

Id - 连续漏极电流：

12 A

Rds On - 漏源电阻：

440 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2 V

Vgs - 栅源电压：

30 V

Qg - 门电荷：

88 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

179 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

系列：

E

品牌：

威世 / Siliconix

正向跨导 - 最小值：

4.5 S

秋季时间：

18 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

15 ns

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

55 ns

典型的开启延迟时间：

18 ns

Tags

SIHB1, SIHB, SIH